【jinnianhui科技消息】jinnianhui從韓媒獲悉，在近日于韓國首爾舉行的“HBF研究內(nèi)容與技術開發(fā)戰(zhàn)略說明會”上，被譽為“HBM之父”的韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩（Kim Jeong-ho）指出，預計明年實現(xiàn)商業(yè)化的下一代NAND閃存產(chǎn)品——高帶寬閃存（HBF），其市場規(guī)模將在大約10年后超越當前AI半導體的核心部件高帶寬內(nèi)存（HBM）。
金正浩（Kim Jeong-ho）
金教授強調(diào)，隨著AI的思維與推理能力變得重要，以及從文本到語音界面的轉(zhuǎn)變，所需的數(shù)據(jù)量將不可避免地爆炸性增長。他認為，如果說PC時代的核心是中央處理器（CPU），智能手機時代的關鍵是低功耗，那么AI時代的核心就是內(nèi)存：“HBM決定速度，HBF決定容量”。
HBF是一種通過垂直堆疊主要用于長期存儲的NAND閃存來顯著增加容量的內(nèi)存，類似于HBM的堆疊方式。隨著AI智能體服務的擴展，充當長期記憶的“鍵-值”（KV）緩存內(nèi)存作用日益凸顯，過去由HBM承擔的角色，正逐漸轉(zhuǎn)向由NAND內(nèi)存來擔當。
在此次說明會上，金教授展示了利用HBF的下一代內(nèi)存架構，例如在GPU兩側(cè)各搭載4個HBM和HBF，實現(xiàn)總計96GB HBM容量和2TB HBF容量的方案。他形象地比喻：“HBM將充當書架，而HBF將充當圖書館”，前者可立即取用所需資料，后者則能一次性容納更多資料，盡管速度稍慢。
金教授預測，僅靠HBM無法應對爆炸性增長的需求，行業(yè)將不可避免地采用HBF。他進一步指出，當CPU、GPU和內(nèi)存有機整合在單一基礎芯片上的內(nèi)存中心計算（MCC）架構完成時，所需的HBF數(shù)量將進一步增加，并預計HBF需求將從2038年起超越HBM。
目前，三星電子、SK海力士和閃迪等全球公司正在加速HBF開發(fā)。金教授認為，韓國公司占據(jù)更有利位置。因為閃迪僅專注于NAND閃存，而三星電子和SK海力士同時擁有HBM和先進封裝能力。他表示：“韓國將能夠在未來10-20年的結構性變革中引領AI計算機的發(fā)展，而其中的支柱正是HBF。”據(jù)悉，SK海力士正以明年量產(chǎn)為目標開發(fā)HBF。
金教授總結道：“HBF的制程與現(xiàn)有HBM制程極為相似，因此最終將成為一場技術速度的競賽。而要實現(xiàn)全面商業(yè)化，哪些服務會采用它將是關鍵。”他主張，繼HBM之后，韓國內(nèi)存制造商也必須在HBF上掌握主動權，以免在AI市場中喪失影響力，一個以內(nèi)存為中心的AI時代正在展開。
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