【jinnianhui科技消息】2月9日，全球市場研究公司Counterpoint發(fā)布的《2月內(nèi)存價格追蹤報告》顯示，截至2026年第一季度，內(nèi)存價格較2025年第四季度環(huán)比暴漲80%-90%，DRAM、NAND及HBM全品類價格均創(chuàng)下歷史新高，市場呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲的態(tài)勢。
據(jù)jinnianhui了解，本輪內(nèi)存價格大幅攀升的主要推手是通用服務器DRAM價格的暴漲，此前在2025年第四季度表現(xiàn)平穩(wěn)的NAND閃存，在2026年第一季度也同步迎來80%-90%的漲幅，疊加部分HBM3e產(chǎn)品價格走高，進一步推高了整體市場價格。其中服務器級內(nèi)存價格漲幅尤為顯著，64GB RDIMM合約價從2025年第四季度的450美元飆升至2026年第一季度的900美元以上，且預計第二季度有望突破1000美元關口。
面對持續(xù)走高的內(nèi)存成本，下游原始設備制造商（OEM）紛紛調(diào)整策略，通過減少單款設備的內(nèi)存配置緩解成本壓力，同時優(yōu)先推出搭載LPDDR5的高端產(chǎn)品線，該領域的價格壓力相對可控。智能手機廠商也采取了降配措施，削減設備DRAM容量，或采用性價比更高的QLC方案替代TLC固態(tài)硬盤。市場訂單結(jié)構(gòu)也隨之變化，供應緊張的LPDDR4訂單明顯下滑，LPDDR5訂單則隨入門級芯片推出持續(xù)增長。
該機構(gòu)指出，對設備廠商而言，零部件成本上漲疊加消費者購買力減弱，構(gòu)成了雙重打擊。隨著本季度推進，需求很可能放緩，這就要求OEM改變采購模式，或聚焦高端機型，通過提供更多價值來支撐更高的產(chǎn)品定價。
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